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SCT2H12NY数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

SCT2H12NY

功能描述

Nch SiC(碳化硅)功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 20:00:00

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SCT2H12NY规格书详情

描述 Description

SCT2H12NY是1700V 4A的Nch SiC功率MOSFET。

特性 Features

• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Long creepage distance with no center lead
• Simple to drive
• Pb-free lead plating; RoHS compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT2H12NY

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-268-2L

  • 包装数量

    :800

  • 最小独立包装数量

    :800

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :1700

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :1150

  • Generation

    :2nd Gen (Planar)

  • Drain Current[A]

    :4

  • Total Power Dissipation[W]

    :44

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :15.95x18.9 (t=5.2)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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