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SCT3022KLHR中文资料N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

SCT3022KLHR

功能描述

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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SCT3022KLHR规格书详情

描述 Description

沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

特性 Features

• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Qualified to AEC-Q101

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT3022KLHR

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247N

  • 包装数量

    :450

  • 最小独立包装数量

    :30

  • 包装形态

    :Tube

  • RoHS

    :Yes

  • Drain-source Voltage[V]

    :1200

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]

    :22

  • Generation

    :3rd Gen (Trench)

  • Drain Current[A]

    :95

  • Total Power Dissipation[W]

    :427

  • Junction Temperature(Max.)[°C]

    :175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :16x21 (t=5.2)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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