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SCT3022KLHR规格书详情
描述 Description
沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
特性 Features
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Qualified to AEC-Q101
技术参数
- 制造商编号
:SCT3022KLHR
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-247N
- 包装数量
:450
- 最小独立包装数量
:30
- 包装形态
:Tube
- RoHS
:Yes
- Drain-source Voltage[V]
:1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
:22
- Generation
:3rd Gen (Trench)
- Drain Current[A]
:95
- Total Power Dissipation[W]
:427
- Junction Temperature(Max.)[°C]
:175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:175
- Package Size [mm]
:16x21 (t=5.2)
- Common Standard
:AEC-Q101 (Automotive Grade)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ROHM(罗姆) |
24+ |
TO247 |
7350 |
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Rohm(罗姆) |
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NA |
20094 |
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ROHM |
21+ |
- |
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ROHM(罗姆) |
20+ |
TO-247N |
30 |
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Rohm Semiconductor |
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TO-247N |
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ROHM |
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TO-247-3 |
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ROHM Semiconductor |
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ROHM |
NA |
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