SCT2160KE中文资料SiC（碳化硅）MOSFET数据手册ROHM规格书
SCT2160KE规格书详情
描述 Description
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD非一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
特性 Features
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
技术参数
- 制造商编号
：SCT2160KE
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-247N
- 包装数量
：450
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：160
- Generation
：2nd Gen (Planar)
- Drain Current[A]
：22
- Total Power Dissipation[W]
：165
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
- Package Size [mm]
：16x21 (t=5.2)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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SCT2160KE |
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