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SCT2080KEHR中文资料N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET数据手册ROHM规格书
SCT2080KEHR规格书详情
描述 Description
基于SiC的平面型MOSFET。 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
特性 Features
• Low on-resistance
• Fast switching speed
• Fast reverse recovery
• Easy to parallel
• Simple to drive
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• Qualified to AEC-Q101
技术参数
- 制造商编号
:SCT2080KEHR
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-247N
- 包装数量
:450
- 最小独立包装数量
:30
- 包装形态
:Tube
- RoHS
:Yes
- Drain-source Voltage[V]
:1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
:80
- Generation
:2nd Gen (Planar)
- Drain Current[A]
:40
- Total Power Dissipation[W]
:262
- Junction Temperature(Max.)[°C]
:175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:175
- Package Size [mm]
:16x21 (t=5.2)
- Common Standard
:AEC-Q101 (Automotive Grade)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(罗姆) |
24+ |
TO247 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
Rohm(罗姆) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ROHM(罗姆) |
20+ |
TO-247N |
30 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
TO-247 |
39197 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
23+ |
HiP-247-3 |
3652 |
原厂正品现货供应SIC全系列 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2021+ |
HiP-247-3 |
7600 |
原装现货,欢迎询价 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 |