SCT20N120中文资料碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装数据手册ST规格书
SCT20N120规格书详情
描述 Description
该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。
特性 Features
• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 开关损耗随温度变化极小温度
• 适应非常高的工作温度(200°C)
• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
• 易于驱动
技术参数
- 制造商编号
:SCT20N120
- 生产厂家
:ST
- Package
:HIP247
- Grade
:Industrial
- VDSS_nom(V)
:1200
- Drain Current (Dc)_max(A)
:20
- RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)
:0.239
- PTOT_max(W)
:175
- Qg_typ(nC)
:45
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
HiP-247-3 |
16900 |
原装,正品 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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ST(意法半导体) |
20+ |
HiP-247 |
30 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
HiP-247-3 |
8860 |
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STMicroelectronics |
24+ |
原厂封装 |
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ST/意法半导体 |
23+ |
HiP-247-3 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
HiP-247 |
7814 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
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