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SCT20N120数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

SCT20N120

功能描述

碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247封装

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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SCT20N120规格书详情

描述 Description

该碳化硅功率MOSFET晶体管是利用宽禁带半导体材料的先进和创新特性生产出来的。因此,器件具有每区域无可比拟的导通状态电阻,以及卓越的开关性能,随温度变化极小。碳化硅(SiC)材料具有出色的热性能,与独有的HiP247™封装的器件外壳相结合,使设计人员能够采用符合行业标准的设计,显著提高器件的散热能力。这些特性使器件非常适用于高效率和高功率密度应用。

特性 Features

• 导通电阻随温度变化敏感温度
• 开关损耗随温度变化极小温度
• 适应非常高的工作温度(200°C)
• 稳定的超快速本体二极管
• 低电容
• 易于驱动

技术参数

  • 制造商编号

    :SCT20N120

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :HIP247

  • Grade

    :Industrial

  • VDSS_nom(V)

    :1200

  • Drain Current (Dc)_max(A)

    :20

  • RDS(on)_max(@ VGS=20V)(Ω)

    :0.239

  • PTOT_max(W)

    :175

  • Qg_typ(nC)

    :45

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