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SCT011H75G3AG	文件：395.49 Kbytes Page：14 Pages	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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SCT011H75G3AG

文件：395.49 Kbytes

Page：14 Pages

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mΩ typ., 110 A in an H²PAK-7 package

Features •AEC-Q101qualified •VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange •Highspeedswitchingperformances •Veryfastandrobustintrinsicbodydiode •Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications •Maininverter(electrictraction) •DC/DCconverterforEV/HEV

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产品属性

产品编号：
SCT011H75G3AG
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
散装
描述：
MOSFET 750 V 110A H2PAK7

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