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SDB110	文件：101.02 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260oC/10	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SDB110	文件：408.94 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SDB110	文件：254.36 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260°C/10	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SDB110Q	文件：221.77 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：175.7 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode GeneralDescription TheSDB110QSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh-speedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductions.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhand-heldandportableapplicationswherespace	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SDB110Q	文件：33.64 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage:VF=Max.0.4V(@IF=10mA) •Lowreversecurrent:IR=Max.0.5㎂(@VR=5V) •Highspeedswitchingapplication	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：172.9 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SDB110S	文件：345.5 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
SDBS110	文件：101.02 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260oC/10	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SDBS110	文件：408.94 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC

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更多SCL-L-DPDT-S-110S供应商更新时间2025-7-28 15:30:00

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