MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

文件：50.36 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

文件：50.36 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

文件：50.67 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

文件：50.67 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

General-Purpose Switching Device Applications

文件：72.38 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

N-Channel Power MOSFET

文件：294.72 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SiC MOSFET

基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。 •High-speed switching\n•Low ON resistance\n•Low body diode Qrr and trr\n•Ensured reliability of body diode conduction\n•SiC SBD co-packed;

ROHM

罗姆

20A, 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Sunnychip

晟芯半导体

20A, 650V SiC Schottky Barrier Diode

Sunnychip

晟芯半导体

Package：轴向；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GP 20KV 500MA AXIAL

Semtech Corporation