SCH2080KE中文资料SiC MOSFET数据手册ROHM规格书
SCH2080KE规格书详情
描述 Description
基于SiC的平面型MOSFET。（SiC-SBD一体型） 其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。
特性 Features
•High-speed switching
•Low ON resistance
•Low body diode Qrr and trr
•Ensured reliability of body diode conduction
•SiC SBD co-packed
技术参数
- 制造商编号
：SCH2080KE
- 生产厂家
：ROHM
- Status
：推荐品
- 封装
：TO-247
- 包装数量
：360
- 最小独立包装数量
：30
- 包装形态
：Tube
- RoHS
：Yes
- Drain-source Voltage[V]
：1200
- Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
：80.0
- Drain Current[A]
：40.0
- Total Power Dissipation[W]
：262
- Junction Temperature(Max.)[°C]
：175
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：175
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA/ |
3280 |
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询价 | ||
PAM |
2016+ |
TSOP-6 |
6000 |
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询价 | ||
ROHM |
14+ |
TO-3P |
30 |
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询价 | ||
SANYO/三洋 |
23+ |
SOT-563 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
ROHM Semiconductor |
23+ |
2 |
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询价 | |||
ROHMSEMICONDUCTOR |
1913 |
286 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | |||
ROHM/罗姆 |
25+ |
TO247-3 |
880000 |
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询价 | ||
ROHM |
SMDDIP |
185600 |
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询价 | |||
ROHM |
23+ |
TO247 |
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询价 | ||
SANYO/三洋 |
24+ |
SOT-563 |
9600 |
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询价 |
