650V Silicon Carbide Schottky Diode

SC3D10065I是SiC基肖特基二极管。先进的结构及工艺使得其拥有较高的热导率及耐压击穿能力，具有很好的反向恢复特性，电路损耗低等优点。

HI-SEMICON

深鸿盛电子

650-V Direct WBG Diode

Key Features: •SiC performance •Easy paralleling •High current carrying capability •Very low junction capacitance •Highly stable VFand QRRat elevated temperatures

文件：223.22 Kbytes 页数：5 Pages

AnalogPower

Z-RecTM Rectifiers and Zero-Recovery짰 Rectifiers

Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET

文件：291.41 Kbytes 页数：2 Pages

Cree

科锐

Silicon Carbide Schottky Diode

Z-REC™ RECTIFIERS and ZERO-RECOVERY® RECTIFIERS SILICON CARBIDE Z-FET™ MOSFET

文件：773.27 Kbytes 页数：6 Pages

Cree

科锐