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SC2450ISWTR	文件：1.55833 Mbytes Page：21 Pages	BI-Phase/Dual Controller 文件：1.55833 Mbytes 页数：21 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
SC2450ISWTRT	文件：1.55833 Mbytes Page：21 Pages	BI-Phase/Dual Controller 文件：1.55833 Mbytes 页数：21 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
SC2453_05	文件：416.53 Kbytes Page：22 Pages	High Performance Quad Output Switching Regulator 文件：416.53 Kbytes 页数：22 Pages	SEMTECH 先之科	SEMTECH
SC245B	文件：206.51 Kbytes Page：3 Pages	THYRISTOR 文件：206.51 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
SC245D	文件：206.51 Kbytes Page：3 Pages	THYRISTOR 文件：206.51 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
SC245E	文件：206.51 Kbytes Page：3 Pages	THYRISTOR 文件：206.51 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
SC245M	文件：206.51 Kbytes Page：3 Pages	THYRISTOR 文件：206.51 Kbytes 页数：3 Pages	DIGITRON	DIGITRON
SN54SC245MPWTSEP	文件：889.06 Kbytes Page：25 Pages	丝印：SC245SEP；Package：TSSOP；SN54SC245-SEP Radiation-Tolerant, 1.2-V to 5.5-V, Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/23616 • Total ionizing dose characterized at 30 krad(Si) – Total ionizing dose characterized radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad(Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up 文件：889.06 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54SC245MPWTSEP	文件：921.15 Kbytes Page：25 Pages	丝印：SC245SEP；Package：TSSOP；SN54SC245-SEP Radiation-Tolerant, 1.2-V to 5.5-V, Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/23616 • Total ionizing dose characterized at 30 krad(Si) – Total ionizing dose characterized radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad(Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up 文件：921.15 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
SN54SC245MPWTSEP	文件：924.77 Kbytes Page：26 Pages	丝印：SC245SEP；Package：TSSOP；SN54SC245-SEP Radiation-Tolerant, 1.2-V to 5.5-V, Octal Bus Transceivers With 3-State Outputs 1 Features • Vendor item drawing available, VID V62/23616 • Total ionizing dose characterized at 30 krad(Si) – Total ionizing dose characterized radiation lot acceptance testing (TID RLAT) for every wafer lot to 30 krad(Si) • Single-event effects (SEE) characterized: – Single event latch-up 文件：924.77 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

工作电压：
2.5–24
Bop(Gs)：
255
Brp(Gs)：
200
Bhys(Gs)：
55
输出形式：
漏极开路
封装形式：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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