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MBR2545CT	文件：134.82 Kbytes Page：5 Pages	DualCommon-CathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR2545CT	文件：238.72 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR2545CT	文件：278.33 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ♦PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ♦Highsurgecapability ♦Foruseinlowvoltage,hig	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR2545CT	文件：435.56 Kbytes Page：2 Pages	30ASCHOTTKYRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR2545CT	文件：479.62 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers TheMBR2535CT/45CTseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTempe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2545CT	文件：204.23 Kbytes Page：6 Pages	Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationforenhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance	SMCSintered Metal Company 烧结金属烧结金属公司	SMC
MBR2545CT	文件：161.98 Kbytes Page：6 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
MBR2545CT	文件：261.75 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
MBR2545CT	文件：335.67 Kbytes Page：3 Pages	DualSchottkyBarrierRectifiers	FS First Silicon Co., Ltd	FS
MBR2545CT	文件：820.09 Kbytes Page：2 Pages	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features ●MeatlofSiliconRectifier,MajorityConducton ●Guardringfortransientprotection ●Highsurgecapacity ●HighCurrentCapability,HighEfficiency ●LowPowerLoss	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2545CT	文件：150.61 Kbytes Page：2 Pages	PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassifications94V-0 Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2545CT	文件：818.56 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratoryClassifications94V-0 ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Lowpowerloss,highefficiency ◇Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequency	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2545CT	文件：370.63 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guardringforovervoltageprotection.	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
MBR2545CT	文件：243.23 Kbytes Page：3 Pages	25AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
MBR2545CT	文件：208.81 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2545CT	文件：484.05 Kbytes Page：2 Pages	25.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR2545CTG	文件：479.62 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers TheMBR2535CT/45CTseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTempe	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR2545CTG	文件：94.12 Kbytes Page：4 Pages	Switch?릑odePowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR2545CTG	文件：106.03 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers TheMBR2535CT/45CTseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTempe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR2545CTG	文件：125.12 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODEPowerRectifiers SWITCHMODE™PowerRectifiers TheMBR2535CT/45CTseriesusestheSchottkyBarrierprinciplewithaplatinumbarriermetal.Thesestate−of−the−artdeviceshavethefollowingfeatures: Features •GuardringforStressProtection •LowForwardVoltage •175°COperatingJunctionTempe	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
SBT2545A
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
25A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-204AA（TO-3）
描述：
POWER SCHOTTKY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBT2545A供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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