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SBRS8120NT3G

Surface Mount Schottky Power Rectifier

This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol

文件:262.13 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

SBRS8120NT3G

Package:DO-214AA,SMB;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A 1202-SMB2

ONSEMI

安森美半导体

SBRT15U100SP5-13

TO277

DIODES

美台半导体

上传:深圳市振宏微科技有限公司

SBT5833T1G

SOT-523

RICHTEK立锜

SBT5833T1G

SOT-523

SIG

产品属性

  • 产品编号:

    SBRS8120NT3G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214AA,SMB

  • 供应商器件封装:

    SMB

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 125°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A 1202-SMB2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多SBRS8120NT3G供应商 更新时间2026-2-5 22:59:00