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SBR5E60P5	文件：500.31 Kbytes Page：5 Pages	5A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5 Features Patented Super Barrier Rectifier SBR® technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses Excellent Reverse Leakage (IR) Stability at Higher Temp 文件：500.31 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBR5E60P5	文件：300 bytes Page：1 Pages	5A SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI5 Packaged in the compact thermally efficient POWERDI5 package, the SBR5E60P5 provides ultra-low, forward-voltage drop (VF) and excellent low reverse leakage stability at high temperatures. Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses\nExcellent Reverse Leakage (IR) Stability At Higher Temperatures\nThermally Efficient Package For Cooler Running Applications\nLess than 1.1mm Package Profile Ideal For Thin Applications;	Diodes 美台半导体	Diodes
SBR5E60P5-13	文件：500.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：S5E60；Package：POWERDI5；5A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5 Features Patented Super Barrier Rectifier SBR® technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses Excellent Reverse Leakage (IR) Stability at Higher Temp 文件：500.31 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBR5E60P5-13D	文件：500.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：S5E60；Package：POWERDI5；5A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5 Features Patented Super Barrier Rectifier SBR® technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses Excellent Reverse Leakage (IR) Stability at Higher Temp 文件：500.31 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBR5E60P5-7	文件：500.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：S5E60；Package：POWERDI5；5A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5 Features Patented Super Barrier Rectifier SBR® technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses Excellent Reverse Leakage (IR) Stability at Higher Temp 文件：500.31 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBR5E60P5-7D	文件：500.31 Kbytes Page：5 Pages	丝印：S5E60；Package：POWERDI5；5A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5 Features Patented Super Barrier Rectifier SBR® technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications Ultra Low Forward Voltage Drop (VF) Helps Minimize Power Losses Excellent Reverse Leakage (IR) Stability at Higher Temp 文件：500.31 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBR5E60P5-13D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 60V 5A POWERDI5	PAM 龙鼎微	PAM
SBR5E60P5-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 60V 5A POWERDI5	PAM 龙鼎微	PAM
SBR5E60P5-7D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 60V 5A POWERDI5	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

AEC Qualified：
No
Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Configuration：
Single
Maximum Average Rectified Current IO (A)：
5
Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM (V)：
60
Peak Forward Surge Current IFSM (A)：
170
Forward Voltage Drop VF (V)：
0.52
@ IF (A)：
5
Maximum Reverse Current IR (μA)：
220
@ VR (V)：
60
Packages：
PowerDI5

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更多SBR5E60P5供应商更新时间2025-10-10 14:16:00

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