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BC817-40	文件：313.46 Kbytes Page：13 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-40	文件：1.12871 Mbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR(NPN) Features ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Complementarytypes:BC807(PNP)	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BC817-40	文件：268.78 Kbytes Page：15 Pages	45V,500mANPNgeneral-purposetransistors Generaldescription NPNgeneral-purposetransistorsinasmallSOT23Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •AEC-Q101qualified Applications •General-purposeswitchingandamplification	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC817-40	文件：96.13 Kbytes Page：5 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS FEATURES Generalpurposeamplifierapplications NPNepitaxialsilicon,planardesign CollectorcurrentIC=500mA LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree)	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC817-40	文件：276.01 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC817-40-AU	文件：497.77 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNGeneralPurposeTransistors Features SiliconNPNEpitaxialtype ExcellentDCcurrentgaincharacteristics Generalpurposeamplifierapplication AEC-Q101qualified LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard PNPcomplement:BC807-AUseries	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC817-40-HF	文件：1.38132 Mbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC817-40L	文件：186.67 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSiliconCollector??EmitterVoltageVCEO45	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC817-40Q	文件：304.15 Kbytes Page：7 Pages	45VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZUMT817-40	文件：26.88 Kbytes Page：1 Pages	SOT323NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTORS	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

详细参数

型号：
SBC817-40L
功能描述：
两极晶体管 - BJT SS GP XSTR SPCL TR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多SBC817-40L供应商更新时间2025-5-22 18:05:00

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