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SBC856BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC856BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LBC856BLT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC856BLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：211.86 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC856BLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：249.88 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA

产品属性

产品编号：
SBC856BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBC856BLT1G供应商更新时间2026-1-24 10:16:00

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