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SBC857BDW1T1G	文件：123.82 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC857BDW1T1G	文件：88.63 Kbytes Page：7 Pages	Dual General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC857BDW1T1G-M02	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：SBC857BDW1T1G-M02	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857BDW1T1	文件：106.29 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •DeviceMarking: BC856BDW1T1=3B BC857BDW1T1=3F BC857CDW1T1=3G	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC857BDW1T1	文件：164.15 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors(PNPDuals) DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC857BDW1T1	文件：469.23 Kbytes Page：5 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–363/SC–88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ETL E-Tech Electronics LTD	ETL
BC857BDW1T1G	文件：178.77 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors DualGeneralPurposeTransistors PNPDuals Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT−363/SC−88whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompli	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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LBC857BDW1T1	文件：247.95 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC857BDW1T1G	文件：134.71 Kbytes Page：6 Pages	DualGeneralPurposeTransistors	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC857BDW1T1G	文件：462.3 Kbytes Page：6 Pages	S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

详细参数

型号：
SBC857BDW1T1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT SS GP XSTR PNP 45
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	SBC857BDW1T1G	onsemi	23+	6-TSSOP,SC-88,SOT-363	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多SBC857BDW1T1G供应商更新时间2024-4-30 18:26:00

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