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SBC857CLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC857CLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
S-LBC857CLT1G	文件：666.6 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：666.6 Kbytes 页数：7 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
BC857CLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：249.88 Kbytes 页数：8 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC857CLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC857CLT1G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SBC857CLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3

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