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S9015	文件：234.45 Kbytes Page：2 Pages	Low Frequency, Low Noise Amplifier FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W Collector Current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating & storage junction temperature Tj, Tstg : - 55℃ ~ + 150℃ 文件：234.45 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9015	文件：861.09 Kbytes Page：4 Pages	丝印：M6；Package：SOT-23；TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to S9014 文件：861.09 Kbytes 页数：4 Pages	SY 顺烨电子	SY
S9015	文件：50.27 Kbytes Page：3 Pages	PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The S9015 is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. Features • High Total Power Dissipation. (PD:450mW) • Complementary to S9014 • High hFE and Good Linearity. Absolute Maximum Ratings • Maximum Temperatures Storage Temperature 文件：50.27 Kbytes 页数：3 Pages	TGS	TGS
S9015	文件：861.1 Kbytes Page：4 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Complementary to S9014 文件：861.1 Kbytes 页数：4 Pages	SHUNYE 顺烨电子	SHUNYE
S9015	文件：286.57 Kbytes Page：2 Pages	丝印：M6；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary to S9014 文件：286.57 Kbytes 页数：2 Pages	UMW 友台半导体	UMW
S9015E-05-ND	文件：467.62 Kbytes Page：2 Pages	.050” [1.27 mm] Contact Centers, Male Headers, Straight/Right Angle/SMT SPECIFICATIONS • Insulator Material: Nylon • Contact Material: Brass • Plating: Gold Flash Overall • 1 Amp current rating • UL Flammability Rating: 94V-0 • Stacker Options available - Consult factory 文件：467.62 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S9015LT1	文件：131.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?PNP 竊 FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150 文件：131.33 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9015LT1	文件：704.56 Kbytes Page：3 Pages	PNP General purpose Transistors 文件：704.56 Kbytes 页数：3 Pages	WEITRON	WEITRON
S9015LT1-SOT-23	文件：131.33 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR竊?PNP 竊 FEATURES Power dissipation PCM : 0.2 W（ Tamb=25℃） Collector current ICM : -0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : -50 V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150 文件：131.33 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
S9015M	文件：203.13 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR DESCRIPTION PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURES High hFE and good linearity Complementary to S9014M APPLICATION Low Frequency, Low Noise Amplifier For portable equipment:(i.e. Mobile phone,MP3, MD,CD-ROM, DVD-ROM,Note book PC, etc.) 文件：203.13 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU

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技术参数

Polarity：
PNP
PC_Max (mW)：
200
IC_Max (mA)：
100
V(BR)CBO_Min (V)：
50
V(BR)CEO_Min (V)：
45
V(BR)EBO (V)：
5
hFE_Min：
200
hFE_Max：
1000
@ VCE (V)：
5
VCE(sat)_Max (V)：
0.3
@ IC (mA)：
100
@ IB (mA)：
10
fT_Min (MHz)：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	S9015	JXND	25+	NA	7825	原装正品!清仓处理!	询价
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更多S901供应商更新时间2026-10-31 17:00:00

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