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TRS4E65H	文件：387.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：S4E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 12 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 0.6 μA (typ. 文件：387.56 Kbytes 页数：7 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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更多S4E65H供应商更新时间2025-9-14 20:37:00