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TRS4E65H中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

TRS4E65H

功能描述

SiC Schottky Barrier Diode

丝印标识

S4E65H

封装外壳

TO-220-2L

文件大小

387.56 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 17:58:00

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TRS4E65H规格书详情

Applications

• Power Factor Correction

• Solar Inverters

• Uninterruptible Power Supplies

• DC-DC Converters

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation

(2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.)

(3) Low total capacitive charge: Qc = 12 nC (typ.)

(4) Low reverse current: IR = 0.6 μA (typ.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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