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S4D20120D-A	文件：1.69958 Mbytes Page：7 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
ADC4D20120H	文件：233.28 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120D	文件：318.06 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120G	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C4D20120A	文件：662.99 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120A	文件：1.2441 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：884.55 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2-KVoltSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •HigherEfficienc	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：772.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120D	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120H	文件：485.82 Kbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED

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