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S4D20120H	文件：1.30191 Mbytes Page：8 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage Terminals finish: 100 Pure Tin “-A” is an AEC-Q101 qualified device Pb − Free Device All SMC p 文件：1.30191 Mbytes 页数：8 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S4D20120H	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V Silicon Carbide Schottky Rectifier	SMC 桑德斯微电子	SMC
S4D20120H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S4D20120H-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMC 桑德斯微电子	SMC

产品属性

产品编号：
S4D20120H
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
721pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247AC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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