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S4D20120H	文件：1.30191 Mbytes Page：8 Pages	1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
S4D20120H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
ADC4D20120H	文件：233.28 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120D	文件：318.06 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableV FandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
ADE4D20120G	文件：243.56 Kbytes Page：5 Pages	1200-VDirectWBGDiode KeyFeatures: •SiCperformance •Easyparalleling •Highcurrentcarryingcapability •Verylowjunctioncapacitance •HighlystableVFandQRRatelevated temperatures	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
C4D20120A	文件：662.99 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120A	文件：1.2441 Mbytes Page：9 Pages	4thGeneration1200V,20ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：884.55 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •1.2-KVoltSchottkyRectifier •ZeroReverseRecoveryCurrent •High-FrequencyOperation •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •ReplaceBipolarwithUnipolarRectifiers •EssentiallyNoSwitchingLosses •HigherEfficienc	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.	WOLFSPEED
C4D20120D	文件：772.11 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode Z-REC™RECTIFIERSandZERO-RECOVERY®RECTIFIERS SILICONCARBIDEZ-FET™MOSFET	CreeCree, Inc 科锐	Cree
C4D20120D	文件：482.43 Kbytes Page：2 Pages	CREESiliconCarbideMOSFETEvaluationKit Description: ThisEvaluationkitismeanttodemonstratethehighperformanceofallCREE1200VMOSFETsandCREESchottkydiodes(SBD)instandardTO-247package.ThekitincludestwoCree80mOhm,1200VCREEMOSFETsandtwo1200V20Aschottkydiodes;ahalfbridgeconfiguredevaluationboardthat	CreeCree, Inc 科锐	Cree

产品属性

产品编号：
S4D20120H
制造商：
SMC Diode Solutions
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
721pF @ 0V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-2
供应商器件封装：
TO-247AC
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
描述：
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S

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