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S2M0025120D	文件：2.64846 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 25mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：2.64846 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0025120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC MOSFETs	SMC 桑德斯微电子	SMC
S2M0025120J	文件：4.58134 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 25mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：4.58134 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0025120JTR	文件：4.58134 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 25mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：4.58134 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0025120K	文件：3.9162 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 25mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. •“-A” is an AEC-Q101 qualified device. •The finish of terminals is pure matte Sn. 文件：3.9162 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE

技术参数

Package：
TO-247-3
VRWM（V）：
1200
Rds(ON) (mΩ)：
25
ID(A)：
63
VGS(th) (V)：
2.1
Part Status：
Coming soon

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S2M0025120D供应商更新时间2025-10-6 11:06:00

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