1 A、150 V 表面贴装肖特基势垒整流器

• 更大的阴极焊盘以改善功率耗散\n• 超薄外形 - 封装高度<1.0 mm\n• 高浪涌电流处理能力\n• 低功耗、高效率\n• UL 阻燃等级 94 V-0\n• J-STD-020 MSL 1\n• 符合 RoHS 标准/绿色模塑化合物\n• 符合 AEC-Q101 标准的合格工业设备\n• * 见《授权使用政策》;

ONSEMI

安森美半导体

丝印：AFP；Package：SOD-123EP；Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers 1 A, 20 V - 150 V

Features • Larger Cathode Pad for Improved Power Dissipation • Ultra Thin Profile − Package Height

文件：163.72 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Package：SOD-123H；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD123HE

ONSEMI

安森美半导体

POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)

文件：146.97 Kbytes 页数：3 Pages

MOSPEC

统懋

DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications. Features • High DC Current Gain − hFE = 2500 (Typ) @ IC = 1.0 Adc • Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc VCEO(sus) = 60 Vdc (Min)

文件：269.51 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体