TIP115分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TIP115 |
| 参数属性 | TIP115 封装/外壳为TO-220-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 60V 2A TO220-3 |
| 功能描述 | Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
269.51 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 18:25:00 |
| 人工找货 | TIP115价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
TIP115三极管、TIP115晶体管、TIP115晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
2A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD264,BD698,BD716,BDW24A,BDW54A,BDW64A,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
B-10
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
2
- wtest：
50
TIP115规格书详情
TIP115属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的TIP115晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
Designed for general−purpose amplifier and low−speed switching applications.
特性 Features
• High DC Current Gain −
hFE = 2500 (Typ) @ IC
= 1.0 Adc
• Collector−Emitter Sustaining Voltage − @ 30 mAdc
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) − TIP110, TIP115
= 80 Vdc (Min) − TIP111, TIP116
= 100 Vdc (Min) − TIP112, TIP117
• Low Collector−Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 2.5 Vdc (Max) @ IC
= 2.0 Adc
• Monolithic Construction with Built−in Base−Emitter Shunt Resistors
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号：
TIP115
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
2mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS PNP DARL 60V 2A TO220-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2026+ |
TO220 |
54648 |
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询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO220 |
2000 |
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FAIRCHILD |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
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F |
24+ |
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990000 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
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