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RZM002P02	文件：224.81 Kbytes Page：5 Pages	丝印：T2L；Package：VMT3；1.2V Drive Pch MOSFET 文件：224.81 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RZM002P02	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.2V Drive Pch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •1.2V驱动型 Pch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RZM002P02T2L	文件：164.2 Kbytes Page：5 Pages	1.2V Drive Pch MOSFET 文件：164.2 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTE002P02	文件：65.44 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching 文件：65.44 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTE002P02	文件：58.59 Kbytes Page：4 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching 文件：58.59 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTE002P02TL	文件：58.59 Kbytes Page：4 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Features 1) Low On-resistance. 2) Small package (EMT3). 3) 2.5V drive. Applications Switching 文件：58.59 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
VMT3
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-723
JEITA Package：
SC-105AA
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-20
Drain Current ID[A]：
-0.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
2.4
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.8
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
2.4
Total gate charge Qg[nC]：
1.4
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
-1.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)

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