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RTE002P02TL	文件：58.59 Kbytes Page：4 Pages	2.5V Drive Pch MOS FET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(EMT3). 3)2.5Vdrive. Applications Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTE002P02	文件：65.44 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDrivePchMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(EMT3). 3)2.5Vdrive. Applications Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTE002P02	文件：58.59 Kbytes Page：4 Pages	2.5VDrivePchMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(EMT3). 3)2.5Vdrive. Applications Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTM002P02	文件：82.56 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDrivePchMOSFET Structure SiliconP-channelMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(VMT3). 3)2.5Vdrive.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTM002P02	文件：78.57 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDrivePchMOSFET Structure SiliconP-channelMOSFET Features 1)LowOn-resistance. 2)Smallpackage(VMT3). 3)2.5Vdrive.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTU002P02	文件：65.349 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDrivePchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RZB002P02	文件：294.33 Kbytes Page：6 Pages	1.2VDrivePchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RZE002P02	文件：225.68 Kbytes Page：5 Pages	1.2VDrivePchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RZE002P02	文件：225.68 Kbytes Page：5 Pages	1.2VDrivePchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RZM002P02	文件：224.81 Kbytes Page：5 Pages	1.2VDrivePchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
RTE002P02TL
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 200MA SOT416
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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