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TA8001S	文件：232.45 Kbytes Page：7 Pages	5VVOLTAGEREGULATORWITHRESETTIMER 5VVOLTAGEREGULATORWITHRESETTIMER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TDA8001	文件：204.04 Kbytes Page：24 Pages	Smartcardinterface	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TDA8001A	文件：204.04 Kbytes Page：24 Pages	Smartcardinterface	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TDA8001AT	文件：204.04 Kbytes Page：24 Pages	Smartcardinterface	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TDA8001T	文件：204.04 Kbytes Page：24 Pages	Smartcardinterface	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
TKD8001	文件：890.46 Kbytes Page：13 Pages	ClockSynthesizerandDisplayDAC	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TPC8001	文件：514.47 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelMOSType(MOSVI)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8001-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8001	文件：242.91 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=8S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max.)(VDS=30V) •Enhancementmode:Vth=1.3to2.5V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCM8001-H	文件：306.7 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconN-ChannelMOSType(Ultra-High-SpeedU-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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