RW1E025RP中文资料4V Drive Pch MOSFET数据手册ROHM规格书
RW1E025RP规格书详情
描述 Description
为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。
特性 Features
•4V驱动型 Pch 中功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RW1E025RP
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：WEMT6
- 包装数量
：8000
- 最小独立包装数量
：8000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：SOT-563T
- JEITA Package
：SC-120
- Number of terminal
：6
- Polarity
：Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：-30
- Drain Current ID[A]
：-2.5
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
：0.095
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.085
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.055
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.095
- Total gate charge Qg[nC]
：5.2
- Power Dissipation (PD)[W]
：0.7
- Drive Voltage[V]
：-4
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：1.6x1.6 (t=0.65)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
25+ |
WEMT6 |
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WEMT6 |
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WEMT6 |
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ROHM |
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WEMT6 |
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