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RW1E025RP

丝印:UT;Package:WEMT6;4V Drive Pch MOSFET

■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis

文件:1.14674 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

RW1E025RP

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.06029 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RW1E025RP

4V Drive Pch MOSFET

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    WEMT6

  • 包装数量:

    8000

  • 最小独立包装数量:

    8000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    SOT-563T

  • JEITA Package:

    SC-120

  • Number of terminal:

    6

  • Polarity:

    Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -30

  • Drain Current ID[A]:

    -2.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.095

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.085

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.055

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.095

  • Total gate charge Qg[nC]:

    5.2

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.7

  • Drive Voltage[V]:

    -4

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    1.6x1.6 (t=0.65)

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更多RW1E025RP供应商 更新时间2025-10-13 9:03:00