RW1C020UN数据手册ROHM中文资料规格书
RW1C020UN规格书详情
特性 Features
•低电压1.5V驱动型 Nch MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RW1C020UN
- 生产厂家
：ROHM
- Status
：新设计非推荐
- 封装
：WEMT6
- 包装数量
：8000
- 最小独立包装数量
：8000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Grade
：Standard
- Package Code
：SOT-563T
- JEITA Package
：SC-120
- Package Size[mm]
：1.6x1.6 (t=0.6)
- Number of terminal
：6
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：20
- Drain Current ID[A]
：2.0
- RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)
：0.17
- RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
：0.095
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.075
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.17
- Total gate charge Qg[nC]
：2.0
- Power Dissipation (PD)[W]
：0.7
- Drive Voltage[V]
：1.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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NA/ |
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ROHM |
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WEMT6 |
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ROHM/罗姆 |
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ROHM |
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WEMT6 |
200000 |
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