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RUM	文件：97.99 Kbytes Page：2 Pages	Twin Independent Outputs	RECOM Recom International Power	RECOM
RUM0016C	文件：1.97935 Mbytes Page：53 Pages	LM51501-Q1 Wide VIN Automotive Low IQ Boost Controller 1Features •AEC-Q100qualified: –Devicetemperaturegrade1:–40°Cto+125°C ambientoperatingtemperaturerange –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC4B •FunctionalSafety-Capable –Documentationavailabletoaidfunctionalsafety systemdesign	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RUM0016F	文件：1.97935 Mbytes Page：53 Pages	LM51501-Q1 Wide VIN Automotive Low IQ Boost Controller 1Features •AEC-Q100qualified: –Devicetemperaturegrade1:–40°Cto+125°C ambientoperatingtemperaturerange –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC4B •FunctionalSafety-Capable –Documentationavailabletoaidfunctionalsafety systemdesign	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RUM001L02-TP	文件：552.03 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2H；Package：SOT723；N-Channel Mosfet ProductSummary Rpson=Typ200mQ@Vgs=4.5V #Rpsen=Typ250mQ@Ves=2.5V Leadfreeproductisacquired Surfacemountpackage +N-channelswitchwithlowRpson) Operatedatlowlogiclevelgatedrive *ESDprotection	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
RUM002N02	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET; •1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET; 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RUM002N05	文件：300 bytes Page：1 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET; •1.2V驱动型 Nch 小信号MOSFET; 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RUM002N05	文件：178.5 Kbytes Page：6 Pages	丝印：RH；Package：VMT3；1.2V Drive Nch MOSFET 1.2VDriverNchMOSFET Features 1)Highspeedswtiching 2)Smallpaceage(VMT3). 3)Ultralowvoltagedrive(1.2Vdrive).	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RUM002N05T2L	文件：130.57 Kbytes Page：7 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET 1.2VDriverNchMOSFET Features 1)Highspeedswtiching 2)Smallpaceage(VMT3). 3)Ultralowvoltagedrive(1.2Vdrive).	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RUM001L02	文件：2.1763 Mbytes Page：12 Pages	Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RUM001L02T2CL	文件：2.1763 Mbytes Page：12 Pages	Nch 20V 100mA Small Signal MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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技术参数

封装：
VMT3
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-723
JEITA Package：
SC-105AA
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
6
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
4.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
6
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
1.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤科源兴科技有限公司	RUM002N02T2L	DISCRETE	8000	RHM	152000		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	RUM003N02GT2L			SOT723	8000	原装长期供货!	询价
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深圳市一线半导体有限公司	RUM003N02T2L	Rohm	24+	VMT3	500		询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	RUM002N02T2L	ROHM	24+	SOT723	12000	专营ROHM品牌进口原装正品假一赔十可開17增值稅票	询价
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更多RUM供应商更新时间2025-7-30 9:00:00

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