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RU65R900P

Super Junction MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

MMD65R900QRH

650V 0.90ohm N-channel MOSFET

文件:2.75608 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD65R900QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =6.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:331.63 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NCE65R900

N-Channel Super Junction Power MOSFET ll

文件:668.66 Kbytes 页数:10 Pages

NCEPOWER

新洁能

技术参数

  • ESD Diode(Y/N):

    N

  • VDSS(V):

    650V

  • VTH(V):

    2-4

  • IDS(A)@TA=25℃:

    4

  • RDS(ON)(mΩ)Typ@VGS=10V:

    900

  • Package:

    TO-220F

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RUICHIPS/锐骏
22+23+
TO-220F
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更多RU65R900P供应商 更新时间2025-11-18 8:11:00