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SB835	文件：23.04 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURES •Epitaxialconstructionforchip •Highcurrentcapability •Lowforwardvoltagedrop •Lowpowerloss,highefficiency •Highsurgecapability •Hightemperaturesolderingguaranteed: 250°C/10sec/0.375(9.5mm)leadlength at5lbstension	SSE Shanghai Sunrise Electronics	SSE
SB835	文件：1.65449 Mbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERVOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A VOLTAGE:20TO60VCURRENT:8.0A FEATURE Highcurrentcapability,Lowforwardvoltagedrop Lowpowerloss,highefficiency Highsurgecapability	GULFSEMIGulf Semiconductor 海湾电子海湾电子（山东）有限公司	GULFSEMI
SBD835L	文件：56.15 Kbytes Page：2 Pages	8ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •HighCurrentCapabilityandVeryLowForwardVoltageDrop •SurgeOverloadRatingto150APeak •PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SBL835	文件：179.09 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30---100V CURRENT:8.0A FEATURES ◇Metal-Semiconductorjunctionwithguardring ◇Epitaxialconstruction ◇Lowforwardvoltagedrop,lowswitchinglosses ◇Highsurgecapability ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinvertersfreewheeling,◇Theplastic	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
SBL835	文件：75.14 Kbytes Page：3 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SBL835	文件：82.49 Kbytes Page：2 Pages	LowVFSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotec	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
SBLF835	文件：209.2 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SBM835L	文件：59.44 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
SK835	文件：143.17 Kbytes Page：2 Pages	MINIATURESCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to100Volts ForwardCurrent-8.0Amperes FEATURES .PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .Metalsliiconjunction,majoritycarrietconduction .Guardringforovercoltageprotection .Lowpowerloss,highefficien	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
SK835	文件：800.63 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountedapplications ♦Lowreverseleakage ♦Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement ♦Highforwardsurgecurrentcapability ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:25	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA

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更多RTL835SB供应商更新时间2025-5-16 10:00:00

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