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S8209B	文件：403.01 Kbytes Page：19 Pages	Aprotectioncircuitwithseriesmulti-cell2cellsormore	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-8209B	文件：473.63 Kbytes Page：26 Pages	BATTERYPROTECTIONICWITHCELL-BALANCEFUNCTION	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SiT8209	文件：666.486 Kbytes Page：15 Pages	SiT8209-Rev1.1	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SIT8209	文件：667.33 Kbytes Page：7 Pages	HighFrequency,UltraPerformanceOscillator	SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
STF8209	文件：95.4 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STF8209A	文件：92.81 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STG8209	文件：628.23 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC8209	文件：1.02571 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8209	文件：312.48 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8209	文件：305.16 Kbytes Page：2 Pages	Highperformance,LowCost20pinOTP LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:ID	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
RT8209B
功能描述：
IC REG CTRLR BUCK PWM 14WQFN
RoHS：
是
类别：
集成电路(IC) >> PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器
系列：
-
标准包装：
2,000
系列：
- PWM
型：
电流模式
输出数：
1 频率 -
最大：
1MHz
占空比：
50%
电源电压：
9 V ~ 10 V
降压：
无
升压：
是
回扫：
是
反相：
无
倍增器：
无
除法器：
无
Cuk：
无
隔离：
无
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
包装：
带卷(TR)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	RT8209BGQW	RICHTEK	10+	QFN	2312		询价
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