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RT1N234X	文件：827.23 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N234Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P234X. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N234C	文件：827.23 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N234Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P234X. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N234M	文件：827.23 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N234Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P234X. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N234S	文件：827.23 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N234Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P234X. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N234U	文件：827.23 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N234Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P234X. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=2.2kΩ,R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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