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RT1N436M	文件：886.04 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N436C	文件：886.04 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N436S	文件：886.04 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1N436T	文件：886.04 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
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RT1N436X	文件：886.04 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1N436Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P436X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=47kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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