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TF100N03M	文件：4.67814 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF100N03MusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. ●Features Advancedeviceconstructure LowRDS(ON)tominimizeconductionloss LowGateChargeforfastswitching	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
UT100N03	文件：275.27 Kbytes Page：5 Pages	100A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUT100N03usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltages.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. FEATURES RDS(ON)=5.3mΩ@VGS=10V RDS(ON)=8.0mΩ@VGS=4.5V	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03G-TND-R	文件：364.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03L	文件：961.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UT100N03L-TND-R	文件：364.35 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFETARRAYFORSWITCHING	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UT100N03-Q	文件：275.74 Kbytes Page：5 Pages	100A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
YFW100N03AD	文件：1.86037 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW100N03AD	文件：1.8038 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW100N03AF	文件：2.70111 Mbytes Page：6 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW100N03AMJ	文件：2.65334 Mbytes Page：6 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

详细参数

型号：
RSS100N03TB
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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