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RSS060P05HZG	文件：2.56222 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RSS060P05；Package：SOP8；Pch -45V -6A Power MOSFET 文件：2.56222 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS060P05	文件：129.83 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive Pch MOS FET 文件：129.83 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS060P05FRA	文件：1.14376 Mbytes Page：8 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：1.14376 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS060P05TB	文件：1.0155 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.0155 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSS060P05-TB	文件：1.01556 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET 文件：1.01556 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSS06065S	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC SBD RSS06065S 是瑞森采用先进的碳化硅SBD技术制造的SiC 肖特基二极管，该产品拥有较强的抗浪涌冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能提升方案性能效率，缩少空间减轻重量和零件数量，及增强系统可靠性。 IF(TC≤135℃)=9A \nVF(Typ)=1.34V\n175°C工作结温\n抗浪涌能力强\n良好的开关特性;	REASUNOS 瑞森半导体	REASUNOS
RSS060P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSS060P05FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOP8
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.038
Total gate charge Qg[nC]：
23
Power Dissipation (PD)[W]：
2
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.75)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RSS060供应商更新时间2025-12-24 15:08:00

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