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RSS060P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET; •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET; 为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05	文件：129.83 Kbytes Page：5 Pages	丝印：TB；Package：SOP8；4V Drive Pch MOS FET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -45V -6A 功率MOSFET; • Low on-resistance\n• Small Surface Mount Package (SOP8)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• Halogen Free\n• Sn100% plating\n• AEC-Q101 Qualified\n; 本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置Pch -45V MOSFET和ESD保护二极管。适合开关用途。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05FRA	文件：1.14376 Mbytes Page：8 Pages	4V Drive Pch MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05FU6TB	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET P-CH 45V 6A 8-SOIC;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05HZG	文件：2.56222 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RSS060P05；Package：SOP8；Pch -45V -6A Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS060P05TB	文件：1.0155 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSS060P05-TB	文件：1.01556 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-6.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.038
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.038
Total gate charge Qg[nC]：
23.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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