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RSR030N06TL

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Battery Switch • DC/DC Converter

文件:503.48 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

FDI030N06

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.2mW

文件:500.71 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDI030N06

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 136A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.2mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·Designed for use in switch m

文件:298.96 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDMS030N06B

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 100A, 3m?

文件:243.24 Kbytes 页数:10 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    RSR030N06TL

  • 功能描述:

    MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 60V, 3A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多RSR030N06TL供应商 更新时间2026-2-1 14:14:00