N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，100A，3mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 2.4mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 50A\n•先进的封装技术和硅技术相结合，实现了低 RDS(on) 和高效率\n•快速开关速度\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 100A, 3m?

文件：243.24 Kbytes 页数：10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 193A, 3.2m?

文件：487.8 Kbytes 页数：8 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=195A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件：332.6 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 195A, 3.1m

文件：748.44 Kbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司