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RSJ650N10

丝印:TL;Package:LPTS;4V Drive Nch MOSFET

文件:1.13011 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

RSJ650N10

4V Drive Nch MOSFET

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

RSJ650N10FRA

4V Drive Nch MOSFET

文件:485.91 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RSM002N06T2L

ROHM/罗姆
VMT3

ROHM/罗姆

上传:深圳广友电子有限公司

ROHM/罗姆

RSM232D

ZLG
模块

ZLG

致远电子

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

技术参数

  • 封装:

    LPTS (D2PAK)

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    1000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    TO-263 (D2PAK)

  • JEITA Package:

    SC-83

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    100

  • Drain Current ID[A]:

    65

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.007

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.0065

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.007

  • Total gate charge Qg[nC]:

    260

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    100

  • Drive Voltage[V]:

    4

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    10.1x13.1 (t=4.7)

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更多RSJ650N10供应商 更新时间2025-10-9 15:46:00