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RSJ250P10	文件：383.8 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor ·FEATURES ·Drain Current –ID= -25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 63mΩ(Max) @VGS=10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·DESCRITION ·Be suitable for s 文件：383.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSJ250P10	文件：1.19478 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TL；Package：LPTS；4V Drive Pch MOSFET 文件：1.19478 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSJ250P10	文件：560.12 Kbytes Page：7 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：560.12 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSJ250P10	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -25A Power MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用新流程的「针对开关电源的高効率高耐圧设备」而实现节能的功率MOSFET、有着丰富的产品线可以对应各种市场需求。 •4V驱动型 Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSJ250P10FRA	文件：482.66 Kbytes Page：9 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：482.66 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSJ250P10TL	文件：560.12 Kbytes Page：7 Pages	4V Drive Pch MOSFET 文件：560.12 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSJ250P10FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -25A Power MOSFET RSJ250P10FRA是车载级的高可靠性MOSFET。 •4V驱动型 Pch 功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
LPTS (D2PAK)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-263 (D2PAK)
JEITA Package：
SC-83
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-100
Drain Current ID[A]：
-25
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.05
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.048
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.05
Total gate charge Qg[nC]：
60
Power Dissipation (PD)[W]：
50
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.1x13.1 (t=4.7)

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