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|---|---|---|---|---|
RS8N65F | 650V N Channel MOSFET RS8N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 • VDS =650V,ID =8A\n• 抗冲击能力强\n• 100%的UIS测试; | REASUNOS 瑞森半导体 | REASUNOS | |
650V N-Channel MOSFET 文件:492.17 Kbytes 页数:6 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司 | MAPLESMI | ||
600V N-Channel MOSFET 文件:793.2 Kbytes 页数:7 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司 | MAPLESMI | ||
650V N-Channel MOSFET 文件:366.97 Kbytes 页数:7 Pages | MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司 | MAPLESMI |
技术参数
- ID(A):
8
- VDSS(V):
650
- RDS(on) Typ(Ω):
0.95
- RDS(on) Max(Ω):
1.15
- Application:
LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
REASUNOS(瑞森) |
2447 |
TO-220F |
105000 |
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REASUNOS |
22+ |
TO-220F |
130000 |
瑞森微代理,支持终端生产 |
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N/A |
53000 |
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REASUNOS |
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TO-220F |
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REASUNOS(瑞森) |
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Reasunos |
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RUNIC(润石) |
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RUNIC(润石) |
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Original |
50000 |
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