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RS8N65F

650V N Channel MOSFET

RS8N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 • VDS =650V,ID =8A\n• 抗冲击能力强\n• 100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

SLD8N65S

650V N-Channel MOSFET

文件:492.17 Kbytes 页数:6 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

SLD8N65U

600V N-Channel MOSFET

文件:793.2 Kbytes 页数:7 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

SLF8N65C

650V N-Channel MOSFET

文件:366.97 Kbytes 页数:7 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

技术参数

  • ID(A):

    8

  • VDSS(V):

    650

  • RDS(on) Typ(Ω):

    0.95

  • RDS(on) Max(Ω):

    1.15

  • Application:

    LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源

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TO-220F
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更多RS8N65F供应商 更新时间2025-12-16 15:01:00