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RS8N65F中文资料650V N Channel MOSFET数据手册REASUNOS规格书

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厂商型号

RS8N65F

功能描述

650V N Channel MOSFET

制造商

REASUNOS

中文名称

瑞森半导体 瑞森半导体科技(湖南)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-25 17:25:00

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RS8N65F规格书详情

描述 Description

RS8N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。

特性 Features

• VDS =650V,ID =8A
• 抗冲击能力强
• 100%的UIS测试

技术参数

  • 制造商编号

    :RS8N65F

  • 生产厂家

    :REASUNOS

  • ID(A)

    :8

  • VDSS(V)

    :650

  • RDS(on) Typ(Ω)

    :0.95

  • RDS(on) Max(Ω)

    :1.15

  • Application

    :LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源

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