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RS20N65F

650V N Channel MOSFET

RS20N65F是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 • VDS =650V,ID =20A \n• 抗冲击能力强\n• 100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

SW20N65K

N-channel TO-220/TO-220F MOSFET

文件:777.28 Kbytes 页数:6 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

SW20N65K

N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

文件:1.15816 Mbytes 页数:11 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TRS20N65D

SiC Schottky Barrier Diode

文件:163.99 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

技术参数

  • ID(A):

    20

  • VDSS(V):

    650

  • RDS(on) Typ(Ω):

    0.35

  • RDS(on) Max(Ω):

    0.45

  • Application:

    LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源

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更多RS20N65F供应商 更新时间2026-4-14 15:01:00