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RS10N80F

800V N Channel MOSFET

RS10N80F是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过特殊的耐压环和晶胞设计,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源,智能电表,工业开关电源,电力系统等。 VDS =800V,ID =10A\nRDS(ON) <1.2Ω @ VGS = 10V\n抗冲击能力强\n较低的导通电阻\n100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

SLF10N80CZ

800V N-Channel MOSFET

文件:401.81 Kbytes 页数:7 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

SLP10N80CZ

800V N-Channel MOSFET

文件:401.81 Kbytes 页数:7 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

SLW10N80UZ

800V N-Channel MOSFET

文件:1.00822 Mbytes 页数:6 Pages

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司

技术参数

  • ID(A):

    10

  • VDSS(V):

    800

  • RDS(on) Typ(Ω):

    1

  • RDS(on) Max(Ω):

    1.2

  • Application:

    AC/DC开关电源/LED照明/工业开关电源/电力系统

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更多RS10N80F供应商 更新时间2026-3-17 15:01:00