RS10N80F中文资料800V N Channel MOSFET数据手册REASUNOS规格书
RS10N80F规格书详情
描述 Description
RS10N80F是瑞森采用新型的横向变掺杂技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过特殊的耐压环和晶胞设计,开发出耐压更高,导通内阻更低的超高压MOS管。广泛应用于AC/DC开关电源,智能电表,工业开关电源,电力系统等。
特性 Features
VDS =800V,ID =10A
RDS(ON) <1.2Ω @ VGS = 10V
抗冲击能力强
较低的导通电阻
100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
:RS10N80F
- 生产厂家
:REASUNOS
- ID(A)
:10
- VDSS(V)
:800
- RDS(on) Typ(Ω)
:1
- RDS(on) Max(Ω)
:1.2
- Application
:AC/DC开关电源/LED照明/工业开关电源/电力系统
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ORISTE |
24+ |
NA/ |
298 |
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ORISTE |
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SOT223 |
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原厂封装 |
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新 |
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原厂封装 |
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24+ |
10000 |
询价 | ||||
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SOT-223 |
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Curtis Industries |
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原厂封装 |
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REASUNOS(瑞森) |
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